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2SK3564(STA4,Q,M)

2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA

2SK3564.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 78 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
48+1.52 EUR
53+1.36 EUR
59+1.22 EUR
61+1.17 EUR
65+1.12 EUR
66+1.09 EUR
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Technische Details 2SK3564(STA4,Q,M) TOSHIBA

Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220SIS, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V.

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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : TOSHIBA 2SK3564.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 3A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 3A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 3.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 2SK3564_datasheet_en_20131101-1649730.pdf MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3564_datasheet_en_20131101.pdf?did=856&prodName=2SK3564 Description: MOSFET N-CH 900V 3A TO220SIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SIS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba 92sk3564_datasheet_en_20131101.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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2SK3564(STA4,Q,M) 2SK3564(STA4,Q,M) Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET N-CH Si 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
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