2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics CorporationDescription: ABU / MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 500+ | 6.3 EUR |
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Technische Details 2SK2225-80-E#T2 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 9 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-3PF, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SK2225-80-E#T2 nach Preis ab 5.44 EUR bis 10.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SK2225-80-E#T2 | Hersteller : Renesas Electronics |
MOSFET PWR MOSFET 2A 1500V TO-3PFM Pb Free |
auf Bestellung 2585 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SK2225-80-E#T2 | Hersteller : RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK2225-80-E#T2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2 A, 9 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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