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2SJ670-TD-E

2SJ670-TD-E Sanyo

2sj670d.pdf Hersteller: Sanyo
Description: 2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
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Technische Details 2SJ670-TD-E Sanyo

Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: PCP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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2SJ670-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sj670d.pdf Description: ONSEMI - 2SJ670-TD-E - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.41 ohm, PCP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: PCP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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