2SJ655 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 12A TO220ML
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220ML
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 20 V
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Technische Details 2SJ655 onsemi
Description: ONSEMI - 2SJ655 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220ML, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SJ655 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SJ655 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 12 A, 0.1 ohm, TO-220ML, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220ML Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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