2SD734E-AA onsemi
Hersteller: onsemiDescription: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 600 mW
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|---|---|
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Technische Details 2SD734E-AA onsemi
Description: ONSEMI - 2SD734E-AA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 700 mA, 600 mW, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| 2SD734E-AA | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SD734E-AA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 700 mA, 600 mW, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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