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2SD1815S-TL-E

2SD1815S-TL-E onsemi


en2539-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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Technische Details 2SD1815S-TL-E onsemi

Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: TP-FA, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SD1815S-TL-E Hersteller : onsemi EN2539_D-2311183.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V
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2SD1815S-TL-E Hersteller : SANYO en2539-d.pdf 08+ TO-252
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2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en2539-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en2539-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 76en2539-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2SD1815S-TL-E 2SD1815S-TL-E Hersteller : onsemi en2539-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1 W
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