2SCR587D3FRATL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive
Bipolar Transistors - BJT NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, Power Transistor for Automotive
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Technische Details 2SCR587D3FRATL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2SCR587D3FRATL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR587D3FRATL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 3 A, 10 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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| 2SCR587D3FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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| 2SCR587D3FRATL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 120V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Automotive AEC-Q101 |
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