2SCR544RTL Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR544RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-346, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR544RTL nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 2.5A 1000mW 3-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 676 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR544RTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Digital Transtr Driver |
auf Bestellung 1247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
auf Bestellung 2960 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SCR544RTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SCR544RTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR544RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 2.5 A, 500 mW, SOT-346, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SOT-346 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 2.5A Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| 2SCR544RTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SCR544RTL NPN SMD transistors |
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2SCR544RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 2.5A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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