2SCR522MT2L Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR522MT2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SCR522MT2L nach Preis ab 0.063 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SCR522MT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
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2SCR522MT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 20V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
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2SCR522MT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
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2SCR522MT2L | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose Amplification Transistor |
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2SCR522MT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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2SCR522MT2L | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR522MT2L - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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| 2SCR522MT2L | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SCR522MT2L NPN SMD transistors |
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2SCR522MT2L | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 20V 0.2A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
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