2SCR513PHZGT100 Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
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Technische Details 2SCR513PHZGT100 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 1A, Übergangsfrequenz: 360MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SCR513PHZGT100 nach Preis ab 0.28 EUR bis 0.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN, SOT-89, 50V 1A, Middle Power Transistor for Automotive |
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 50V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 360MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2SCR513PHZGT100 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SCR513PHZGT100 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 180hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-89 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 360MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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