2SCR512PT100 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SCR512PT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V, Frequency - Transition: 320MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote 2SCR512PT100 nach Preis ab 0.29 EUR bis 0.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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2SCR512PT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SCR512PT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SCR512PT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS NPN 30V 2A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 320MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 2 W |
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2SCR512PT100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT Trans GP BJT NPN 30V 2A |
Produkt ist nicht verfügbar |