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2SC5707-TL-E ONSEMI


en6913-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
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Technische Details 2SC5707-TL-E ONSEMI

Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 330MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

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2SC5707-TL-E
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2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI en6913-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; TO252
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: TO252
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Collector current: 8A
Type of transistor: NPN
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62+ 1.16 EUR
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82+ 0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 56
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 5600 Stücke:
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1400+ 0.86 EUR
2100+ 0.81 EUR
4900+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 700
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi EN6913_D-2311055.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
auf Bestellung 4084 Stücke:
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700+ 1.04 EUR
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2100+ 0.81 EUR
4900+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : onsemi en6913-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 8A TPFA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 6215 Stücke:
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12+ 1.6 EUR
100+ 1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 10
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 8A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
auf Bestellung 724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36375-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 8A
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
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2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor en6913-d.pdf Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 8 А; ft, МГц = 330; hFE = 200 @ 500 мA, 2 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; TP-FA-2
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3+2.52 EUR
10+ 2.17 EUR
100+ 1.91 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa2040-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC5707-TL-E 2SC5707-TL-E Hersteller : ON Semiconductor 1972en6913-d.pdf Trans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar