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2SC5103TLQ

2SC5103TLQ Rohm Semiconductor

2522sc5103.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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Technische Details 2SC5103TLQ Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 60V 5A CPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.

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2SC5103TLQ 2SC5103TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2522sc5103.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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2SC5103TLQ 2SC5103TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2522sc5103.pdf Trans GP BJT NPN 60V 5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
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2SC5103TLQ 2SC5103TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5103.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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2SC5103TLQ Hersteller : ROHM - Japan 2sc5103.pdf NPN 60V 5A 2SC5103TLQ T2SC5103tlq
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2SC5103TLQ Hersteller : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32752-1.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN;CPT3 HFE RANK 'Q
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2SC5103TLQ 2SC5103TLQ Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc5103.pdf Description: TRANS NPN 60V 5A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1 W
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