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2SC4793 (Bipolartransistor NPN)

2SC4793 (Bipolartransistor NPN) Toshiba

2SC4793.pdf
Produktcode: 27099
Hersteller: Toshiba
Gehäuse: TO-220
fT: 100 MHz
Uceo,V: 230
Ucbo,V: 230
Ic,A: 1
h21: 320
ZCODE: THT
auf Bestellung 150 Stück:
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2SC4793 2SC4793 Hersteller : EVVO 2SC4793.pdf Description: TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 50 W
auf Bestellung 755 Stücke:
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Mindestbestellmenge: 50
2SC4793 Hersteller : OSEN 2SC4793.pdf Transistor NPN; 320; 2W; 230V; 1A; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Complementary to: 2SA1837; 2SC4793-O; 2SC4793(F,M); 2SC4793 T2SC4793
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Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 50
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fT: 70 MHz
U, V: 230
U, V: 230
I, А: 1
h21,max: 320
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fT: 30 MHz
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Ucbo,V: 230
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h21: 160
ZCODE: THT
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fT: 100 MHz
U, V: 120
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I, А: 0.1
h21,max: 700
verfügbar: 635 Stück
160 Stück - stock Köln
475 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000 V
Iausricht.,А: 1 A
Beschreibung: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
auf Bestellung 49699 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
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Gehäuse: TO-92
fT: 400 MHz
U, V: 150 V
U, V: 160 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 400
auf Bestellung 1304 Stück:
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