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2SC4102T106S

2SC4102T106S Rohm Semiconductor

2sc3906k-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details 2SC4102T106S Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 140MHz, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 200 mW.

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2SC4102T106S 2SC4102T106S Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc3906k-e.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: UMT3
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
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2SC4102T106S 2SC4102T106S Hersteller : Rohm Semiconductor 2sc3906k-e.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 3-Pin UMT T/R
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2SC4102T106S 2SC4102T106S Hersteller : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0004715849_1-2562017.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 25V 50MA
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