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2SC3647S-TD-E

2SC3647S-TD-E onsemi

2sa1417-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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Technische Details 2SC3647S-TD-E onsemi

Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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184+ 0.39 EUR
199+ 0.36 EUR
208+ 0.34 EUR
250+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 2A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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184+ 0.39 EUR
199+ 0.36 EUR
208+ 0.34 EUR
250+ 0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 166
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1417_D-3150112.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
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2000+ 0.31 EUR
5000+ 0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 4
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1417-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 1090 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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19+0.93 EUR
23+ 0.79 EUR
100+ 0.55 EUR
500+ 0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 19
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2765 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1417-d.pdf Description: ONSEMI - 2SC3647S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2765 Stücke:
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2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf
auf Bestellung 467 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1417-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC3647S-TD-E 2SC3647S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 3940en2006-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 2A 500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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