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2SC3646S-TD-E

2SC3646S-TD-E ON Semiconductor

2sa1416-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SC3646S-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2SA1416_D-3150366.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
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Mindestbestellmenge: 4
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : onsemi 2sa1416jp-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 1A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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100+ 0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 18
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 131 Stücke:
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 313 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0014872450-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1.3 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416jp-d.pdf
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36365-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2SC3646S-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 41362 Stücke:
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2SC3646S-TD-E
Produktcode: 172099 		2sa1416jp-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1416-d.pdf Trans GP BJT NPN 100V 1A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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2SC3646S-TD-E 2SC3646S-TD-E Hersteller : ONSEMI 2sa1416jp-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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