2SC2713-GR,LF

2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage


2SC2713.pdf Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 21000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.077 EUR
6000+ 0.072 EUR
9000+ 0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details 2SC2713-GR,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 125°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-236, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 150 mW.

Weitere Produktangebote 2SC2713-GR,LF nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Hersteller : Toshiba 2SC2713_datasheet_en_20220308-1916373.pdf Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
auf Bestellung 61252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
7+0.46 EUR
10+ 0.32 EUR
100+ 0.13 EUR
1000+ 0.09 EUR
3000+ 0.072 EUR
9000+ 0.058 EUR
99000+ 0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 7
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2713.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.1A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 23674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
39+0.46 EUR
56+ 0.32 EUR
115+ 0.15 EUR
500+ 0.13 EUR
1000+ 0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 39
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Hersteller : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Hersteller : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar
2SC2713-GR,LF 2SC2713-GR,LF Hersteller : Toshiba 2sc2713_datasheet_en_20220308.pdf Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 150mW 3-Pin S-Mini T/R
Produkt ist nicht verfügbar