2SB815-6-TB-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V
Power - Max: 200 mW
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Technische Details 2SB815-6-TB-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SC-59, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2SB815-6-TB-E
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 15V |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 700mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 793994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB815-6-TB-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 15 V, 700 mA, 200 mW, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V rohsCompliant: YES Verlustleistung: 200mW euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 700mA SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
auf Bestellung 793994 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB815-6-TB-E Produktcode: 184952 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 15V 0.7A 200mW 3-Pin SC-59 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB815-6-TB-E | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 15V 0.7A 3CP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-CP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 200 mW |
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