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2SB1386T100R

2SB1386T100R Rohm Semiconductor

2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 2 W
auf Bestellung 795 Stücke:
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Technische Details 2SB1386T100R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

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2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 4A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 218 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : ROHM 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: ROHM - 2SB1386T100R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 4 A, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
auf Bestellung 218 Stücke:
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2SB1386T100R Hersteller : ROHM Semiconductor rohm_semiconductor_rohms09672-1-1742596.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 5A
auf Bestellung 768 Stücke:
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5000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3
2SB1386 T100R Hersteller : ROHM 09+
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2SB1386 T100R Hersteller : ROHM SOT89
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2SB1386-T100R Hersteller : ROHM SOT89
auf Bestellung 8710 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
2SB1386T100R 2SB1386T100R Hersteller : Rohm Semiconductor 2SB1386%2C1412%2C1326.pdf Description: TRANS PNP 20V 5A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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