2SB1202S-E onsemi
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TP
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
auf Bestellung 59 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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18+ | 1.02 EUR |
20+ | 0.89 EUR |
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Technische Details 2SB1202S-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote 2SB1202S-E
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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2SB1202S-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V |
auf Bestellung 1217 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SB1202S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 37468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SB1202S-E | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 5A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1202S-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: IPAK Current gain: 140...280 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 150MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SB1202S-E | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1W; IPAK Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 1W Case: IPAK Current gain: 140...280 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 150MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |