2SAR586JFRGTLL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP -5.0A -80V Power Transistor for Automotive - 2SAR586JFRG. The power bipolar PNP transistor 2SAR586JFRG is designed for driver circuits.
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Technische Details 2SAR586JFRGTLL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 5A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 5A, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote 2SAR586JFRGTLL nach Preis ab 2.22 EUR bis 3.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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2SAR586JFRGTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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2SAR586JFRGTLL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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2SAR586JFRGTLL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR586JFRGTLL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 5 A, 40 W, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 5A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-263AB Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 5A Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
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2SAR586JFRGTLL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 5A LPTL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V Supplier Device Package: LPTL Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
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