2SAR522EBTL

2SAR522EBTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=2SAR522EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
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Technische Details 2SAR522EBTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -, hazardous: false, DC-Stromverstärkung hFE: -, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 200, Übergangsfrequenz: 350, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar522ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor 2sar522ebtl-e.pdf Trans GP BJT PNP 20V 0.2A 3-Pin EMTF T/R
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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR522EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PNP 20V 0.2A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 2V
Frequency - Transition: 350MHz
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : ROHM 2sar522ebtl-e.pdf Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 350MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : ROHM 2920270.pdf Description: ROHM - 2SAR522EBTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 200 mA, 150 mW, SOT-416FL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
DC-Stromverstärkung hFE: -
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 20
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 200
Übergangsfrequenz: 350
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
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2SAR522EBTL 2SAR522EBTL Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=2SAR522EB&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose Amplification Transistor
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