2SAR514PT100 Rohm Semiconductor
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Technische Details 2SAR514PT100 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V, Frequency - Transition: 380MHz, Supplier Device Package: MPT3, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 2 W.
Weitere Produktangebote 2SAR514PT100 nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.29 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||
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2SAR514PT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 0.7A 2000mW 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
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2SAR514PT100 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 0.7A MPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V Frequency - Transition: 380MHz Supplier Device Package: MPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
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2SAR514PT100 | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT TRANS GP BJT PNP 80V 0.7A 4PIN MPT |
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