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2SAR513RHZGTL

2SAR513RHZGTL ROHM Semiconductor


2sar513rhzgtl_e-2948676.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT SOT346T 50V 1A MID-PWR TRANS
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Technische Details 2SAR513RHZGTL ROHM Semiconductor

Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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2SAR513RHZGTL 2SAR513RHZGTL Hersteller : ROHM datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2SAR513RHZGTL 2SAR513RHZGTL Hersteller : ROHM datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - 2SAR513RHZGTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 1 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1A
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Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
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Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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2SAR513RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
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2SAR513RHZGTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=2SAR513RHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PNP, SOT-346T, -50V -1A, MIDDLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Qualification: AEC-Q101
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