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Technische Details 2SAR512RTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 430MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SAR512RTL nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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2SAR512RTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 Bipolar Transistors - BJT PNP -30V -2A Driver Transistor |
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2SAR512RTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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2SAR512RTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - 2SAR512RTL - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 2 A, 1 W, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Übergangsfrequenz: 430MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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| 2SAR512RTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
2SAR512RTL PNP SMD transistors |
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2SAR512RTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PNP 30V 2A TSMT3 |
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