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Technische Details 2SA2056(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V, Supplier Device Package: TSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 625 mW.
Weitere Produktangebote 2SA2056(TE85L,F) nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; PC=1W; F=100KHZ |
auf Bestellung 4165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| 2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
SOT23/SOT323 |
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 50V 2A 625mW 3-Pin TSM T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA2056(TE85L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 50V 2A TSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: TSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 625 mW |
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