![2SA2013-TD-E 2SA2013-TD-E](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/488_TO-243AA.jpg)
2SA2013-TD-E onsemi
![en6307-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PNP 50V 4A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
1000+ | 0.41 EUR |
2000+ | 0.36 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2SA2013-TD-E onsemi
Description: ONSEMI - 2SA2013-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 4 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.5W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 400MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2SA2013-TD-E nach Preis ab 0.34 EUR bis 0.95 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 2852 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 400MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W |
auf Bestellung 3276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7683 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 141750 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||
2SA2013-TD-E Produktcode: 161290 |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 360MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
![]() |
2SA2013-TD-E | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 4A; 3.5W; SOT89 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 4A Power dissipation: 3.5W Case: SOT89 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 360MHz |
Produkt ist nicht verfügbar |