2SA1962RTU onsemi
Hersteller: onsemiDescription: 2SA1962 - POWER BIPOLAR TRANSIST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max): 17 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 130 W
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 102+ | 4.79 EUR |
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Technische Details 2SA1962RTU onsemi
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 17A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 130W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote 2SA1962RTU nach Preis ab 4.59 EUR bis 7.59 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2SA1962RTU | Hersteller : Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
auf Bestellung 3987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1962RTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Silicon |
auf Bestellung 270 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2SA1962RTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1962RTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1962RTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SA1962RTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 250 V, 17 A, 130 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 17A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 3987 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2SA1962RTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 250V 17A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2SA1962RTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 250V 17A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Current - Collector (Ic) (Max): 17 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 130 W |
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