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2SA1418S-TD-E

2SA1418S-TD-E ON Semiconductor

2sa1418-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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Technische Details 2SA1418S-TD-E ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 700mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : Sanyo ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
139+0.51 EUR
148+0.48 EUR
182+0.39 EUR
192+0.37 EUR
500+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 139
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ONSEMI en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 0.7A; 0.5W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.7A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT89
Current gain: 140...280
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 120MHz
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 500 mW
auf Bestellung 164 Stücke:
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Anzahl Preis
11+1.69 EUR
17+1.05 EUR
100+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 19 Stücke:
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ONSEMI ONSMS36082-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2SA1418S-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 160 V, 700 mA, 500 mW, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 700mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 120MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 105 Stücke:
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2SA1418S-TD-E Hersteller : Sanyo Electric en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
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Anzahl Preis
1595+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 1595
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2SA1418S-TD-E Hersteller : onsemi en1788-d.pdf ONSMS36082-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 0.7A 160V
auf Bestellung 1743 Stücke:
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Anzahl Preis
3+1.30 EUR
10+0.84 EUR
100+0.58 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.36 EUR
10000+0.34 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : ON Semiconductor 2sa1418-d.pdf Trans GP BJT PNP 160V 0.7A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
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2SA1418S-TD-E 2SA1418S-TD-E Hersteller : onsemi en1788-d.pdf Description: TRANS PNP 160V 0.7A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
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Part Status: Active
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