![2SA1392S-AA 2SA1392S-AA](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2957/MFG_2SA1156-AZ.jpg)
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Technische Details 2SA1392S-AA onsemi
Description: 2SA1392 - PNP EPITAXIAL PLANAR S, Packaging: Bulk, Part Status: Active, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: 3-NP, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 500 mW.
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2SA1392S-AA | Hersteller : Sanyo |
![]() Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
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2SA1392S-AA | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
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