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2N7002T
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2N7002T ONSEMI

2N7002T.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 775 Stücke:
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Technische Details 2N7002T ONSEMI

Description: ONSEMI - 2N7002T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.6 ohm, SOT-523F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 115mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-523F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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 		2N7002T Hersteller : ONSEMI 2N7002T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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 		2N7002T Hersteller : ONSEMI 2N7002T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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2N7002T 2N7002T Hersteller : onsemi 2n7002t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ONSEMI 2N7002T.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.073A; Idm: 800mA; 0.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.073A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT523F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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764+ 0.2 EUR
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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2N7002T 2N7002T Hersteller : onsemi / Fairchild 2N7002T_D-2309323.pdf MOSFETs N-Chan Enhancement Mode Field Effect
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2N7002T 2N7002T Hersteller : onsemi 2n7002t-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ONSEMI 2304820.pdf Description: ONSEMI - 2N7002T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 mA, 1.6 ohm, SOT-523F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.76V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-523F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 36723750564479332n7002t.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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2N7002T 2N7002T Hersteller : ON Semiconductor 2n7002t-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-523FL T/R
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