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2N7002Q-7-F Diodes Zetex
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Technische Details 2N7002Q-7-F Diodes Zetex
Description: MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 370mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote 2N7002Q-7-F nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.39 EUR
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.233 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
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auf Bestellung 34000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.105A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.105A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
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2N7002Q-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.105A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23 Kind of package: reel; tape Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.37W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: ESD protected gate Drain current: 0.105A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: 60V Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Case: SOT23 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: SMD |
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