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2N7002NXAKR

2N7002NXAKR Nexperia

2n7002nxak.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details 2N7002NXAKR Nexperia

Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 265mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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1460+ 0.049 EUR
2095+ 0.034 EUR
3035+ 0.024 EUR
3210+ 0.022 EUR
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : NEXPERIA 2N7002NXAK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.12A; Idm: 0.76A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Pulsed drain current: 0.76A
Power dissipation: 0.265W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
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Mindestbestellmenge: 1195
2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2N7002NXAK-1623722.pdf MOSFETs 2N7002NXAK/SOT23/TO-236AB
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia USA Inc. 2N7002NXAK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta), 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 10 V
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : NEXPERIA 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : NEXPERIA 2842563.pdf Description: NEXPERIA - 2N7002NXAKR - Leistungs-MOSFET, Trench-Transistor, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 265mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia Inc. 2N7002NXAK.pdf MOSFET N-CH, Vds=60V, Id=300mA, TO-236AB SOT-23
auf Bestellung 5285 Stücke:
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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2N7002NXAKR 2N7002NXAKR Hersteller : Nexperia 2n7002nxak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
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