2N6350 Microchip Technology
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Technische Details 2N6350 Microchip Technology
Description: NPN TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V, Supplier Device Package: TO-33, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
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2N6350 | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 |
auf Bestellung 36 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N6350 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 |
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| 2N6350 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 598 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| 2N6350 | Hersteller : MOTOROLA |
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auf Bestellung 540 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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2N6350 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans Darlington NPN 80V 5A 1000mW 4-Pin TO-33 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N6350 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AC, TO-33-4 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-33 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
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| 2N6350 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 80V 5A 1W NPN Power BJT THT |
Produkt ist nicht verfügbar |