2N5682 CDIL
Hersteller: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 120V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1/10W
Case: TO39
Current gain: 40...150
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 30MHz
auf Bestellung 807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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65+ | 1.1 EUR |
137+ | 0.52 EUR |
152+ | 0.47 EUR |
172+ | 0.42 EUR |
182+ | 0.39 EUR |
500+ | 0.38 EUR |
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Technische Details 2N5682 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 10W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N5682 nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.1 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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2N5682 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 807 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N5682 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 10W Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N5682 | Hersteller : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5682 | Hersteller : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5682 | Hersteller : Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N5682 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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2N5682 | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W |
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2N5682 | Hersteller : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching |
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2N5682 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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2N5682 | Hersteller : onsemi | onsemi |
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2N5682 | Hersteller : ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT |
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2N5682 | Hersteller : Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT |
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