Technische Details 2N5409 MOTOROLA
Description: POWER BJT, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-111-4, Stud, Mounting Type: Stud Mount, Transistor Type: PNP, Supplier Device Package: TO-111, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 52 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N5409 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 52 W |
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| 2N5409 | Hersteller : Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
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