2N5192G ON Semiconductor
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.79 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N5192G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 2MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N5192G nach Preis ab 0.62 EUR bis 1.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5192G | Hersteller : onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 4A 80V 40W NPN |
auf Bestellung 3675 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2N5192G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 4A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 40 W |
auf Bestellung 2774 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
2N5192G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5192G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 4 A, 40 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 2MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1020 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| 2N5192G | Hersteller : ONSEMI |
2N5192G NPN THT transistors |
auf Bestellung 492 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||
|
2N5192G Produktcode: 178450
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
Produkt ist nicht verfügbar
|
|||||||||||||||||
|
|
2N5192G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
2N5192G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
|
|
2N5192G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||
 |
2N5192G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
Produkt ist nicht verfügbar |