2N4922G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 3MHz
Type of transistor: NPN
Collector-emitter voltage: 60V
Current gain: 10...150
Collector current: 1A
Power dissipation: 30W
Polarisation: bipolar
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 97+ | 0.74 EUR |
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| 500+ | 0.45 EUR |
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Technische Details 2N4922G ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-225, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: 2NXXXX, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote 2N4922G nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N4922G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 30W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 3MHz Type of transistor: NPN Collector-emitter voltage: 60V Current gain: 10...150 Collector current: 1A Power dissipation: 30W Polarisation: bipolar |
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2N4922G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 3A 60V 30W NPN |
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2N4922G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N4922G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 3 A, 30 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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2N4922G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N4922G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N4922G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1A 30000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
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2N4922G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 500mA, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 30 W |
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