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2N4401BU

2N4401BU ON Semiconductor

2n4401-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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Technische Details 2N4401BU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: TO-92, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
Kind of package: bulk
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ONSEMI 2N4401_MMBT4401.PDF Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.35W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Mounting: THT
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : onsemi / Fairchild MMBT4401_D-2316326.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : onsemi ONSM-S-A0003587700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BJT TO92 40V NPN 0.25W 150C
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
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10000+ 0.068 EUR
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ONSEMI 2303839.pdf Description: ONSEMI - 2N4401BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Fuse Kits
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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2N4401BU Hersteller : Fairchild/ON Semiconductor ONSM-S-A0003587700-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 40; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 250; hFE = 100 @ 150 мA, 1 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,75 @ 50 мA, 500 мА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
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2N4401BU 2N4401BU Hersteller : ON Semiconductor 2n4401-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
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