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2N3719

2N3719 Microsemi


MSC1026-595986.pdf Hersteller: Microsemi
Bipolar Transistors - BJT Power BJT
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Technische Details 2N3719 Microsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A TO5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 1.5V, Frequency - Transition: 60MHz, Supplier Device Package: TO-5AA, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 6 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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2N3719 Hersteller : MOT 10062-msc1026-datasheet CAN
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2N3719 Hersteller : MOTOROLA 10062-msc1026-datasheet
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2N3719 2N3719 Hersteller : Microchip Technology msc1026.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N3719 2N3719 Hersteller : Microchip Technology msc1026.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
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2N3719 2N3719 Hersteller : Microchip Technology 10062-msc1026-datasheet Description: TRANS PNP 40V 3A TO5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 1.5V
Frequency - Transition: 60MHz
Supplier Device Package: TO-5AA
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 6 W
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