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Technische Details 2N3716 Microchip Technology
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-204AA, TO-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3), Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 5 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| 2N3716 | Hersteller : MOTOROLA |
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2N3716 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3716 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 5000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray |
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2N3716 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 85.7W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 85.7W Case: TO3 Current gain: 5...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
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2N3716 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: NPN POWER SILICON TRANSISTORS Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 2V Supplier Device Package: TO-204AD (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 5 W |
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2N3716 | Hersteller : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 85.7W; TO3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 85.7W Case: TO3 Current gain: 5...150 Mounting: THT Kind of package: bulk |
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