2N3637 MULTICOMP PRO
Hersteller: MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details 2N3637 MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N3637 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 175 V, 1 A, 5 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 175V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2N3637
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
| 2N3637 | Hersteller : MOT |
CAN |
auf Bestellung 458 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| 2N3637 | Hersteller : MOT |
SOT323 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
| 2N3637 | Hersteller : MOTOROLA |
|
auf Bestellung 25000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
||
 |
2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 175V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 175 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
2N3637 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 175 V Small-Signal BJT |
Produkt ist nicht verfügbar |