2N3501UB Microchip Technology
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Technische Details 2N3501UB Microchip Technology
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Grade: Military, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 500 mW, Qualification: MIL-PRF-19500/366.
Weitere Produktangebote 2N3501UB nach Preis ab 25.56 EUR bis 39.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 3-Pin SMD Waffle |
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 3-Pin SMD Waffle |
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT 150V 300MA 500MW Round-End Small-Signal BJT |
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 150V 0.3A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 500 mW Qualification: MIL-PRF-19500/366 |
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 3-Pin SMD Waffle |
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2N3501UB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 150V 0.3A 500mW 3-Pin SMD Waffle |
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