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2N3439 CDIL
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Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 1/5W; TO39
Kind of package: bulk
Frequency: 15MHz
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 40...160
Collector current: 1A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 1/5W
Polarisation: bipolar
Mounting: THT
Case: TO39
auf Bestellung 1918 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
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72+ | 1 EUR |
102+ | 0.7 EUR |
134+ | 0.53 EUR |
153+ | 0.47 EUR |
162+ | 0.44 EUR |
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Technische Details 2N3439 CDIL
Description: MULTICOMP PRO - 2N3439 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 350 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: TO-39, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 15MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C.
Weitere Produktangebote 2N3439 nach Preis ab 0.44 EUR bis 22.05 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N3439 | Hersteller : CDIL |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 1/5W; TO39 Kind of package: bulk Frequency: 15MHz Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 40...160 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 1/5W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO39 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1918 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 5W; TO39 Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 40...160 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO39 |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : NTE Electronics |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 350V; 1A; 5W; TO39 Collector-emitter voltage: 350V Current gain: 40...160 Collector current: 1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 5W Polarisation: bipolar Mounting: THT Case: TO39 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 34 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 13 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : Microchip Technology |
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auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: TO-39 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 15MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 2108 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : CDIL |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 480 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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2N3439 | Hersteller : Solid State Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3439 | Hersteller : onsemi |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3439 | Hersteller : STMicroelectronics |
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2N3439 Produktcode: 107493 |
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2N3439 | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V Frequency - Transition: 15MHz Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 1 W |
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2N3439 | Hersteller : Microchip Technology |
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2N3439 | Hersteller : Microchip Technology |
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2N3439 | Hersteller : Semelab |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3439 | Hersteller : STMicroelectronics |
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2N3439 | Hersteller : MICROSEMI |
![]() ![]() Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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