2N3117 PBFREE Central Semiconductor
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Technische Details 2N3117 PBFREE Central Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V, Supplier Device Package: TO-18, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 360 mW.
Weitere Produktangebote 2N3117 PBFREE nach Preis ab 4.11 EUR bis 9.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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2N3117 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 |
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2N3117 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor |
Bipolar Transistors - BJT NPN Low Lvl SS |
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2N3117 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 0.05A 360mW 3-Pin TO-18 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N3117 PBFREE | Hersteller : Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 60V 0.05A TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V Supplier Device Package: TO-18 Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 360 mW |
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