2N3019 Microchip Technology
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Technische Details 2N3019 Microchip Technology
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39, Packaging: Tube, Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 175°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-39, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 800 mW.
Weitere Produktangebote 2N3019 nach Preis ab 1.98 EUR bis 32.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
 Description: TRANS NPN 80V 1A TO5Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
auf Bestellung 117 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N3019 | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N3019 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1 A, 800 mW, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 400MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C |
auf Bestellung 1957 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N3019 | Hersteller : NTE Electronics, Inc. |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-5 |
auf Bestellung 875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| 2N3019 | Hersteller : Central Semiconductor |
Біполярний транзистор NPN TO-39-3 Metal Can Uceo=80V; Ic=1A; f=100MHz; Pdmax=0,8W; hfemin=100 |
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2N3019 Produktcode: 119528 |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN |
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2N3019 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8/5W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Noise Figure: 4dB |
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| 2N3019 | Hersteller : Broadcom / Avago |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N3019 | Hersteller : STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
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| 2N3019 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT |
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2N3019 | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Planar Transistor |
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2N3019 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1A TO39 Packaging: Tube Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 800 mW |
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2N3019 | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 0.8/5W; TO39; 4dB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 0.8/5W Case: TO39 Current gain: 100...300 Mounting: THT Kind of package: bulk Noise Figure: 4dB Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N3019 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 5W Case: TO5 Current gain: 80...400 Mounting: THT Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : Rectron |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N3019 | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 800mW 3-Pin TO-5AA Bag |
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2N3019 | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin TO-39 |
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2N3019 | Hersteller : NTE Electronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 5W; TO5 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 1A Power dissipation: 5W Case: TO5 Current gain: 80...400 Mounting: THT |
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