2N2907AUB Microchip Technology
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| 18+ | 8.92 EUR |
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Technische Details 2N2907AUB Microchip Technology
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V, Supplier Device Package: UB, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 500 mW.
Weitere Produktangebote 2N2907AUB nach Preis ab 8.92 EUR bis 47.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
auf Bestellung 635 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A UB Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: UB Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW |
auf Bestellung 1973 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
auf Bestellung 106 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : TT Electronics/Optek Technology |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SMD Packaging: Bulk Package / Case: 3-LCC Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 10V Supplier Device Package: Ceramic SMD Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 327 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Optek / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP G.P. Transistor 3 Pin |
auf Bestellung 324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin CSMD Waffle |
auf Bestellung 94 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2907AUB | Hersteller : Optek Technology (TT electronics) |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 3-Pin CSMD Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2907AUB | Hersteller : Optek Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 400mW 3-Pin CSMD Waffle |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2907AUB | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 500mW 4-Pin Case UB Waffle |
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| 2N2907AUB | Hersteller : MICROSEMI |
TO18/PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2907 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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