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2N2907 CDIL

datasheet-2n2907.pdf
Produktcode: 161911
Hersteller: CDIL
Gehäuse: TO-18
fT: 200 MHz
U, V: 40 V
U, V: 60 V
I, А: 0,6 A
h21,max: 300
auf Bestellung 35 Stück:
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2N2907 2N2907 Hersteller : CDIL 2N2907.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1076 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
71+1.02 EUR
106+ 0.68 EUR
177+ 0.41 EUR
230+ 0.31 EUR
243+ 0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 71
2N2907 2N2907 Hersteller : CDIL 2N2907.PDF Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.4/1.8W; TO18
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.4/1.8W
Case: TO18
Current gain: 100...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
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2N2907 2N2907 Hersteller : Motorola MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.6A TO18
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-18
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.8 W
auf Bestellung 29335 Stücke:
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81+6.11 EUR
Mindestbestellmenge: 81
2N2907 2N2907 Hersteller : MULTICOMP PRO 2869790.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N2907 - Bipolarer Einzeltransistor, PNP, 40V, 600mA, 1.8W, TO-18, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: TO-18
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 200°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3724 Stücke:
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2N2907 Hersteller : CDIL MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
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Mindestbestellmenge: 50
2N2907 Hersteller : CDIL MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw PNP 600mA 60V 400mW 200MHz 2N2907-CDI 2N2907 T2N2907
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
50+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 50
2N2907 Hersteller : Microchip Technology MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
auf Bestellung 456 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
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500+ 5.51 EUR
2N2907 Hersteller : ONSEMI MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2N2907 - 2N2907, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 1 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2N2907 Hersteller : Microchip Technology 2n2907adie.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Die Bag
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2N2907 2N2907 Hersteller : Microchip Technology MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL-SIGNAL BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
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2N2907 2N2907 Hersteller : STMicroelectronics CD00003088-491103.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
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2N2907 Hersteller : onsemi MOTOD135-3-27.pdf?t.download=true&u=5oefqw Bipolar Transistors - BJT
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470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano)
Produktcode: 3032		 EHR_081225.pdf
470uF 25V EHR 10x13mm (EHR471M25BA-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 10х13mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1430 Stück
erwartet: 3000 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.14 EUR
10+ 0.12 EUR
100+ 0.078 EUR
1000+ 0.067 EUR
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100uF 25V EHR 6,3x11mm (EHR101M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 7803 Stück
erwartet: 300 Stück
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.02 EUR
1000+ 0.019 EUR
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Produktcode: 1574		 description
1N4007 Dioden Brücke
Hersteller: YJ/Microsemi
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-41
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
№ 7: 8541100090
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BZV55-C3V3
Produktcode: 1381		 BZV55.pdf
BZV55-C3V3
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 3,3
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: -2.4mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 3707 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
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Produktcode: 1362		 BZV55.pdf
BZV55-C9V1
Hersteller: NXP
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Gehäuse: SOD-80
Ustab.,V: 9,1
Istab.direkt,A: 0,25
Pmax: 0,4
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 5.5mV/K
№ 6: 8541100090
auf Bestellung 19102 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1+0.04 EUR
10+ 0.03 EUR
100+ 0.028 EUR
1000+ 0.027 EUR