2N2219A Microchip Technology
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Technische Details 2N2219A Microchip Technology
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 800mA, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: TO-39, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Weitere Produktangebote 2N2219A nach Preis ab 9.21 EUR bis 14.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
 Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 325 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2219A | Hersteller : MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N2219A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40V, 300MHz, 400mW, 800mA, 35hFE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 800mA MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-39 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
auf Bestellung 262 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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2N2219A | Hersteller : Semelab / TT Electronics |
Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER |
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2N2219A | Hersteller : Rectron |
Bipolar Transistors - BJT TO-39 |
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| 2N2219A | Hersteller : MICROSEMI |
TO-39/600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR 2N2219 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N2219A | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N2219A | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Polarisation: bipolar Case: TO39 Noise Figure: 4dB Mounting: THT Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/3W Kind of package: bulk Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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2N2219A | Hersteller : Semelab |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
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2N2219A | Hersteller : Semelab (TT electronics) |
Trans GP BJT NPN 40V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 |
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2N2219A | Hersteller : Rectron |
O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
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2N2219A | Hersteller : Rectron |
O-39 NPN SILICON PLANAR SWITCHING RF TransistorS |
Produkt ist nicht verfügbar |
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2N2219A | Hersteller : Microchip Technology |
Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 800mW 3-Pin TO-39 Bag |
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2N2219A | Hersteller : CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.8A; 0.8/3W; TO39; 4dB Polarisation: bipolar Case: TO39 Noise Figure: 4dB Mounting: THT Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Collector current: 0.8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.8/3W Kind of package: bulk |
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